單項(xiàng)選擇題K表示可控硅的（）極。

A.陽(yáng)
B.陰
C.控制
D.發(fā)射


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1.單項(xiàng)選擇題晶閘管由（）層半導(dǎo)體組成。

A.4
B.3
C.2
D.1

2.單項(xiàng)選擇題晶體三極管工作在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)的特點(diǎn)是（）。

A.發(fā)射結(jié)反向偏置，集電結(jié)正向偏置
B.發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置
C.結(jié)和集電結(jié)都處于反向偏置
D.結(jié)和集電結(jié)都處于正向偏置發(fā)射

3.單項(xiàng)選擇題鍺二極管的反向飽和電流（）μA。

A.小于1
B.大于1
C.幾十到幾百
D.幾百到幾千

4.單項(xiàng)選擇題硅二極管的過渡區(qū)電壓大致在（）V。

A.0.1~0.2
B.0.1~0.3
C.0.1~0.5
D.0.5~0.7

5.單項(xiàng)選擇題導(dǎo)體是指（）的物體。

A.物體內(nèi)的帶電質(zhì)點(diǎn)（電子或離子）能夠自由移動(dòng)
B.電導(dǎo)率很小
C.電導(dǎo)率很大
D.導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間