單項選擇題鍺材料二極管的死區(qū)電壓為（）V。

A、0.1
B、0.3
C、0.5
D、0.7


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1.單項選擇題硅材料二極管的死區(qū)電壓為（）V。

A、0.1
B、0.3
C、0.5
D、0.7

2.單項選擇題常用二極管的特性是（）。

A、放大作用
B、穩(wěn)壓作用
C、開關特性
D、單向?qū)щ娦?/p>

3.單項選擇題PN結是（）形成的。

A、將P型和N型半導體摻雜
B、在交界面上，多數(shù)載流子分別向?qū)Ψ綌U散
C、在交界面上，少數(shù)載流子分別向?qū)Ψ綌U散
D、多數(shù)載流子與少數(shù)載流子相互擴散

4.單項選擇題P型半導體中，電子數(shù)目與空穴數(shù)目相比（）。

A、電子數(shù)多于空穴數(shù)
B、電子數(shù)少于空穴數(shù)
C、電子數(shù)等于空穴數(shù)
D、電子數(shù)與空穴數(shù)之比為3：2

5.單項選擇題對半導體的敘述正確的是（）。

A、半導體即超導體
B、半導體即一半導電一半不導電
C、半導體是導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(zhì)
D、半導體是經(jīng)過處理的絕緣體