單項(xiàng)選擇題P型半導(dǎo)體中，電子數(shù)目與空穴數(shù)目相比（）。

A、電子數(shù)多于空穴數(shù)
B、電子數(shù)少于空穴數(shù)
C、電子數(shù)等于空穴數(shù)
D、電子數(shù)與空穴數(shù)之比為3：2


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1.單項(xiàng)選擇題對(duì)半導(dǎo)體的敘述正確的是（）。

A、半導(dǎo)體即超導(dǎo)體
B、半導(dǎo)體即一半導(dǎo)電一半不導(dǎo)電
C、半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)
D、半導(dǎo)體是經(jīng)過處理的絕緣體

2.單項(xiàng)選擇題三極管的反向飽和電流Icbo，是指發(fā)射極e開路時(shí)，（）極之間的反向電流。

A、e與b
B、e與c
C、c與b
D、b與f

3.單項(xiàng)選擇題晶體三極管（）無法用萬用表測(cè)試。

A、電流放大倍數(shù)β
B、穿透電流Icbo
C、截止頻率
D、晶體管的管型

4.單項(xiàng)選擇題不屬于晶體三極管極限參數(shù)的是（）。

A、反向擊穿電壓
B、反向飽和電流
C、集電極最大允許電流
D、集電極最大允許耗散功率

5.單項(xiàng)選擇題普通三極管電流放大倍數(shù)一般在（）之間為好。

A、20-100
B、300-500
C、600-900
D、1000以上