問(wèn)答題為什么多晶硅的干法刻蝕要采用氯基氣體而不是氟基氣體？
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2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述ULSI對(duì)刻蝕的要求。
3.問(wèn)答題刻蝕有哪些參數(shù)？
4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述法刻蝕的優(yōu)缺點(diǎn)（與濕法刻蝕比）。
5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述什么是干法刻蝕與濕法刻蝕。
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晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
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MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？
題型：?jiǎn)柎痤}
目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？
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設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。
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從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？
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比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
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說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。
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集成電路電阻可以通過(guò)（）產(chǎn)生。
題型：多項(xiàng)選擇題
試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
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根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
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