A.內(nèi)部缺陷處的漏磁場(chǎng)比同樣大小的表面缺陷漏磁場(chǎng)大 B.缺陷的漏磁場(chǎng)通常與試件上的磁場(chǎng)強(qiáng)度成反比 C.表面缺陷的漏磁場(chǎng),隨離開(kāi)表面的距離增大而急劇下降 D.有缺陷的試件,才會(huì)產(chǎn)生漏磁場(chǎng)
A.施加的外磁場(chǎng)越大,退磁場(chǎng)就越大 B.試件磁化時(shí),如不產(chǎn)生磁極,就不會(huì)產(chǎn)生退磁場(chǎng) C.試件的長(zhǎng)徑比越大,則退磁場(chǎng)越小 D.以上都是
A.三個(gè)試件軸向連接,置于內(nèi)徑100mm,長(zhǎng)度200mm的線圈中的軸線上 B.三個(gè)試件捆成一匝,置于內(nèi)徑200mm,長(zhǎng)度100mm的線圈中的軸線上 C.將每個(gè)試件置于內(nèi)徑100mm,長(zhǎng)度200mm的線圈中 D.將每個(gè)試件置于鐵芯截面為50×50mm2的直流電磁軛的磁極間