儀器時(shí)基線比例一般在試塊上調(diào)節(jié)，當(dāng)工件與試塊的聲速不同時(shí)，儀器的時(shí)基線比例發(fā)生變化，影響缺陷定位精度。

缺陷垂直時(shí)，擴(kuò)散波束入射至缺陷時(shí)回波較高，而定位時(shí)就會(huì)誤認(rèn)為缺陷在軸線上，從而導(dǎo)致定位不準(zhǔn)。

水浸式探頭主要特點(diǎn)是探頭與工件直接接觸，且探頭部分或全部門(mén)浸入耦合液中。

對(duì)于圓柱體而言，外圓徑向檢測(cè)實(shí)心圓柱體時(shí)，入射點(diǎn)處的回波聲壓理論上同平底面工件相同。

高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。

高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼，電纜為無(wú)機(jī)物絕緣體高溫同軸電纜。

橫波檢測(cè)平板對(duì)接焊縫根部未焊透等缺陷時(shí)，不同K值探頭檢測(cè)同一根部缺陷，其回波高相差不大。

根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計(jì)算公式與圓柱形平面反射體的表達(dá)式進(jìn)行比較可知，在反射體直徑相同的情況下，圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。

衍射時(shí)差法探傷，當(dāng)有缺陷存在時(shí)，在直通波和底面反射波之間，接收探頭會(huì)接收到缺陷處產(chǎn)生的衍射波。

衍射時(shí)差法對(duì)缺陷的定量依賴于缺陷的回波幅度。