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問答題
【計算題】
在制造硅半導體器體中，常使硼擴散到硅單晶中，若在1600K溫度下，保持硼在硅單晶表面的濃度恒定（恒定源半無限擴散），要求距表面10-3cm深度處硼的濃度是表面濃度的一半，問需要多長時間（已知D1600℃＝8×10-12cm2/s；當
時，
）？
答案：
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問答題
【計算題】
已知氫和鎳在面心立方鐵中的擴散數(shù)據(jù)為
cm2/s和
cm2/s，試計算1000℃的擴散系數(shù)，并對其差別進行解釋.
答案：
將T=1000℃代入上述方程中可得
，同理可知
原因：與鎳原子相比氫原子小得多，更容易在面心立方的鐵中通過空隙擴散。
