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電阻負(fù)載的特點(diǎn)是(),在單相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中,晶閘管控制角α的最大移相范圍是()。
答案:
電壓和電流成正比且波形相同;0-180°
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填空題
在如下器件:電力二極管(Power Diode)、晶閘管(SCR)、門(mén)極可關(guān)斷晶閘管(GTO)、電力晶體管(GTR)、電力場(chǎng)效應(yīng)管(電力MOSFET)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)中,屬于不可控器件的是(),屬于半控型器件的是(),屬于全控型器件的是();屬于單極型電力電子器件的有(),屬于雙極型器件的有(),屬于復(fù)合型電力電子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作頻率最高的是(),屬于電壓驅(qū)動(dòng)的是電力()屬于電流驅(qū)動(dòng)的是()。
答案:
電力二極管;晶閘管;GTO、GTR、電力MOSFET、IGBT;電力MOSFET;電力二極管、晶閘管、GTO、GTR;I...
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填空題
IGBT 的開(kāi)啟電壓UGE(th)隨溫度升高而(),開(kāi)關(guān)速度()電力MOSFET 。
答案:
略有下降;小于
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