不同金屬由于結(jié)構(gòu)不同，其能量表面能最低晶面也不相同，K，Na金屬為體心立方結(jié)構(gòu)，其最小奇異面是（）

降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。

適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

氣相生長晶體的關(guān)鍵是（）

影響CVD質(zhì)量的因素有（）

固相燒結(jié)的驅(qū)動力主要來源于坯料的（）

凝聚開始的條件主要取決于（）

關(guān)于溶膠凝膠法，下面哪些說法是正確的？（）

膜層與基片的結(jié)合強(qiáng)度相比較：（）。

利用電鍍得到的膜層疏松多孔，而且結(jié)合不良。怎樣改善膜層的結(jié)合力？（）