氣相生長的基本原理：氣相原子或分子運動到晶體表面，在一定的條件下被晶體吸收，形成穩(wěn)定的（）。俘獲吸附原子，臺階運動蔓延整個表面，便生長一層晶體薄膜。

屬于影響成核過程的因素有（）

薄膜的生長過程主要包含哪幾種類型？（）

降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。

凝聚開始的條件主要取決于（）

不屬于影響成核過程的因素有（）

按照坯料的性能可將成形方法分為哪幾類？（）

提拉法生長單晶體的優(yōu)點有（）

利用電鍍得到的膜層疏松多孔，而且結(jié)合不良。怎樣改善膜層的結(jié)合力？（）

固相燒結(jié)的驅(qū)動力主要來源于坯料的（）