降溫法生長關鍵控制技術包括（）等。

使參與反應的氣態(tài)源交替地以脈沖方式分別射向襯底進行外延生長的方法是（）

屬于影響成核過程的因素有（）

晶體生長大致可以分為晶核的（）兩個階段。

按照坯料的性能可將成形方法分為哪幾類？（）

陶瓷燒結按照（）的不同可分為固相燒結和液相燒結。

不屬于影響成核過程的因素有（）

完全光滑界面的生長是通過（）而進行的。

薄膜的生長過程主要包含哪幾種類型？（）

影響CVD質量的因素有（）