問答題

【簡答題】簡述浮區(qū)法（垂直區(qū)熔法）特點(diǎn)

答案： 不需要坩堝，可以生長高熔點(diǎn)材料晶體。（例如，W單晶，熔點(diǎn)3400℃）熔區(qū)的穩(wěn)定靠表面張力與重力的平衡來保持
題目列表

你可能感興趣的試題

問答題

【簡答題】簡述晶體泡生法原理
答案： 將一根冷的籽晶與熔體接觸，如果界面溫度低于凝固點(diǎn)，則籽晶開始生長。
為了使晶體不斷長大，就需要逐漸降低熔體的溫...
問答題

【簡答題】簡述泡生法與提拉法的區(qū)別
答案： 泡生法是利用溫度控制生長晶體，生長時只拉出晶體頭部，晶體部分依靠溫度變化來生長，而拉出頸部的同時，調(diào)整加熱電壓以使得熔融...
微信掃碼免費(fèi)搜題