問答題

【簡答題】簡述常壓單晶外延和多晶薄膜沉積裝置。

答案: 三種裝置不僅可以用于硅外延生長,也較廣泛的用于GaAs,AsPAs,GeSi合金和SiC等其它外延層生長;還可用于氧化硅...
題目列表

你可能感興趣的試題

問答題

【簡答題】簡述化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)裝置

答案:

(1)氣相反應(yīng)室;
(2)加熱系統(tǒng);
(3)氣體控制系統(tǒng);
(4)排氣系統(tǒng)

問答題

【簡答題】簡述動量的傳遞方式

答案: 兩種常見的流體流動方式:流速與流向均平順者稱為“層流”;流動過程中產(chǎn)生擾動等不均勻現(xiàn)象的流動形式,則稱為“湍流”。
微信掃碼免費搜題