氣相生長晶體的關(guān)鍵是（）

影響CVD質(zhì)量的因素有（）

適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

蒸鍍制膜主要包括的物理階段有（）

下列哪種方法不屬于化學(xué)反應(yīng)沉積鍍膜法？（）

梯度功能材料的主要特征有（）

關(guān)于光滑界面與粗糙界面，下列說法正確的有（）

納米微粒具有大比表面，表面原子數(shù)下降、表面能和表面張力隨粒徑下降急劇增加等現(xiàn)象，表現(xiàn)出哪些獨(dú)有的特性？（）

不屬于影響成核過程的因素有（）

CdSe隨著顆粒尺寸的見效，發(fā)光顏色從紅色像綠色和藍(lán)色移動，這種現(xiàn)象歸因于納米顆粒的什么特性？（）