單項(xiàng)選擇題當(dāng)半導(dǎo)體PN結(jié)受光照射時(shí),光子在()激發(fā)出電子-空穴對(duì)。在自建電場(chǎng)的作用下,電子流向N區(qū),空穴流向P區(qū),使P區(qū)和N區(qū)兩端產(chǎn)生電位差,P端為正,N端為負(fù),這種效應(yīng)稱為光生伏特效應(yīng)。
A.P區(qū);
B.N區(qū);
C.結(jié)區(qū);
D.中間區(qū)。
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1.單項(xiàng)選擇題當(dāng)半導(dǎo)體材料受到光照時(shí),由于對(duì)光子的吸收引起載流子濃度的變化,因而導(dǎo)致材料電導(dǎo)率的變化,這種現(xiàn)象稱為()
A.光伏效應(yīng);
B.光電導(dǎo)效應(yīng);
C.光電發(fā)射效應(yīng);
D.光熱效應(yīng)。
2.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體吸收光子能量使價(jià)帶中的電子激發(fā)到導(dǎo)帶,這一過程稱為()
A.本征吸收
B.雜質(zhì)吸收
C.激子吸收
D.晶格吸收
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光纖型Mach-Zehnder干涉主要基于光纖干涉中光程差的變化測(cè)量,而光程差的變化,最終會(huì)引起相位差的變化,因此,光纖型Mach-Zehnder干涉也可以說是相位調(diào)制。當(dāng)真空中波長(zhǎng)為λ的光經(jīng)過光纖時(shí),被調(diào)制光纖的長(zhǎng)度為L(zhǎng),光纖纖芯的折射率為n,則光經(jīng)過光纖后,對(duì)應(yīng)的相位變化可以表示為()。
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如圖所示是光纖的結(jié)構(gòu)示意圖,如果圖中所示序號(hào)為1的部分材質(zhì)的折射率為n1,序號(hào)為2的部分材質(zhì)折射率為n2,則以下有關(guān)n1和n2的關(guān)系中,正確是()。
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