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A.1000
B.300
C.100
D.10
A.光電變換
B.光電信號(hào)存儲(chǔ)
C.掃描輸出
D.光電二極管
E.MOS電容
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最新試題
如圖所示是一個(gè)光柵示意圖,根據(jù)圖中所示的信息,標(biāo)注為字母()的可以表示光柵常數(shù)。
光電池只能用于換能,不能用于測(cè)量。
PIN光電二極管內(nèi)阻大,輸出電流很小。
PIN光電二極管的響應(yīng)速度快、頻率性能好,因?yàn)镮層增加了PN結(jié)的結(jié)區(qū)面積,結(jié)電容變小。
如圖所示是光纖的結(jié)構(gòu)示意圖,如果圖中所示序號(hào)為1的部分材質(zhì)的折射率為n1,序號(hào)為2的部分材質(zhì)折射率為n2,則以下有關(guān)n1和n2的關(guān)系中,正確是()。
光伏探測(cè)器的暗電流影響探測(cè)器對(duì)弱光信號(hào)的探測(cè)。
光纖型Mach-Zehnder干涉主要基于光纖干涉中光程差的變化測(cè)量,而光程差的變化,最終會(huì)引起相位差的變化,因此,光纖型Mach-Zehnder干涉也可以說是相位調(diào)制。當(dāng)真空中波長為λ的光經(jīng)過光纖時(shí),被調(diào)制光纖的長度為L,光纖纖芯的折射率為n,則光經(jīng)過光纖后,對(duì)應(yīng)的相位變化可以表示為()。
光伏探測(cè)器的暗電流隨溫度的升高而增大。
外接負(fù)載越大,光電池的頻率特性越差。
光伏探測(cè)器的響應(yīng)時(shí)間包括載流子的擴(kuò)散時(shí)間、載流子的漂移時(shí)間,以及外電路時(shí)間。