雪崩增益與器件的材料無(wú)關(guān)。

光伏探測(cè)器的暗電流影響探測(cè)器對(duì)弱光信號(hào)的探測(cè)。

光伏探測(cè)器的等效電路圖可以忽略引線電阻、接觸電阻和結(jié)電阻的影響。

光伏探測(cè)器的暗電流是由熱激發(fā)的載流子引起的，與器件材料、工作溫度無(wú)關(guān)。

負(fù)載電阻越小，光電池的光電流和照度的線性度越好。

PIN光電二極管內(nèi)阻大，輸出電流很小。

光纖型Mach-Zehnder干涉主要基于光纖干涉中光程差的變化測(cè)量，而光程差的變化，最終會(huì)引起相位差的變化，因此，光纖型Mach-Zehnder干涉也可以說(shuō)是相位調(diào)制。當(dāng)真空中波長(zhǎng)為λ的光經(jīng)過(guò)光纖時(shí)，被調(diào)制光纖的長(zhǎng)度為L(zhǎng)，光纖纖芯的折射率為n，則光經(jīng)過(guò)光纖后，對(duì)應(yīng)的相位變化可以表示為（）。

光電池的頻率特性不高，因?yàn)樗墓饷裘孑^大。

硅光電二極管的電流靈敏度一般比硅光電三極管低。

光電池在光照下的PN結(jié)伏安特性圖上工作在第四象限。