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弱輻射情況下,本征光電導(dǎo)與入射輻射通量成正比。
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本征光電導(dǎo)器件的長波限可以達(dá)到130um。
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由于電子的遷移率比空穴大,因此通常用P型材料制成光電導(dǎo)器件。
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