A.0.38~0.78um
B.0.38~1um
C.1~3um
D.8~12um
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A.輻射照度
B.輻射強(qiáng)度
C.輻射出度
D.輻射亮度
A.683lm
B.341.5lm
C.1276lm
D.638lm
A.陽(yáng)光直射
B.陰天室外
C.工作臺(tái)
D.晨昏蒙影
A.3nV
B.4nV
C.5nV
D.6nV
A.價(jià)帶,導(dǎo)帶
B.價(jià)帶,禁帶
C.禁帶,導(dǎo)帶
D.導(dǎo)帶,價(jià)帶
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最新試題
增加耗盡層的寬度,可以改善光伏探測(cè)器的時(shí)間響應(yīng)特性。
光伏探測(cè)器的等效電路圖可以忽略引線電阻、接觸電阻和結(jié)電阻的影響。
光伏探測(cè)器采取零伏偏置或者反向偏置時(shí),光伏探測(cè)器的暗電流都較小,且輸出信噪比較好。
光纖型Mach-Zehnder干涉主要基于光纖干涉中光程差的變化測(cè)量,而光程差的變化,最終會(huì)引起相位差的變化,因此,光纖型Mach-Zehnder干涉也可以說是相位調(diào)制。當(dāng)真空中波長(zhǎng)為λ的光經(jīng)過光纖時(shí),被調(diào)制光纖的長(zhǎng)度為L(zhǎng),光纖纖芯的折射率為n,則光經(jīng)過光纖后,對(duì)應(yīng)的相位變化可以表示為()。
光電二極管可能有三根引腳,增加的環(huán)極可以減小暗電流和噪聲。
光伏探測(cè)器的響應(yīng)時(shí)間包括載流子的擴(kuò)散時(shí)間、載流子的漂移時(shí)間,以及外電路時(shí)間。
如圖所示是光纖的結(jié)構(gòu)示意圖,如果圖中所示序號(hào)為1的部分材質(zhì)的折射率為n1,序號(hào)為2的部分材質(zhì)折射率為n2,則以下有關(guān)n1和n2的關(guān)系中,正確是()。
光伏探測(cè)器的暗電流隨溫度的升高而增大。
圖中所示是一個(gè)黑體輻射的測(cè)量原理圖,從光譜系統(tǒng)組成的角度來看,圖中光學(xué)元件D的作用是()。
光電池在光照下的PN結(jié)伏安特性圖上工作在第四象限。