光電池在光照下的PN結(jié)伏安特性圖上工作在第四象限。

外接負(fù)載越大，光電池的頻率特性越差。

光伏探測(cè)器的暗電流是由熱激發(fā)的載流子引起的，與器件材料、工作溫度無關(guān)。

光纖型Mach-Zehnder干涉主要基于光纖干涉中光程差的變化測(cè)量，而光程差的變化，最終會(huì)引起相位差的變化，因此，光纖型Mach-Zehnder干涉也可以說是相位調(diào)制。當(dāng)真空中波長(zhǎng)為λ的光經(jīng)過光纖時(shí)，被調(diào)制光纖的長(zhǎng)度為L(zhǎng)，光纖纖芯的折射率為n，則光經(jīng)過光纖后，對(duì)應(yīng)的相位變化可以表示為（）。

光伏探測(cè)器的等效電路圖可以忽略引線電阻、接觸電阻和結(jié)電阻的影響。

光伏探測(cè)器的響應(yīng)時(shí)間包括載流子的擴(kuò)散時(shí)間、載流子的漂移時(shí)間，以及外電路時(shí)間。

增加耗盡層的寬度，可以改善光伏探測(cè)器的時(shí)間響應(yīng)特性。

PIN光電二極管的響應(yīng)速度快、頻率性能好，因?yàn)镮層增加了PN結(jié)的結(jié)區(qū)面積，結(jié)電容變小。

下面選項(xiàng)中能夠代表太陽能電池V-P（輸出電壓與輸出功率）特性曲線的是（）。

硅光電二極管的電流靈敏度一般比硅光電三極管低。