多項(xiàng)選擇題關(guān)于TTL電路與CMOS電路性能的比較，（）說法是正確的。 

A.TTL電路輸入端接高電平時(shí)有電流輸入
B.CMOS電路輸入端接高電平時(shí)有電流輸入
C.CMOS電路輸入端允許懸空，相當(dāng)于輸入高電平
D.TTL電路輸入端允許懸空，相當(dāng)于輸入高電平
E.TTL電路輸入端允許懸空，相當(dāng)于輸入低電平


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.多項(xiàng)選擇題CMOS電路具有（）的優(yōu)點(diǎn)。 

A.輸出的高電平是電源電壓、低電平是0
B.門坎電平約為電源電壓的1/2
C.門坎電平約為電源電壓
D.電源電壓使用時(shí)較為靈活
E.門坎電平約為1.4V

2.多項(xiàng)選擇題COMS非門在靜態(tài)時(shí)，電路的一對(duì)管子VN和VP總是（）。     

A.兩個(gè)均截止
B.兩個(gè)均導(dǎo)通
C.一個(gè)截止
D.一個(gè)導(dǎo)通
E.兩個(gè)均導(dǎo)通或兩個(gè)均截止

3.多項(xiàng)選擇題按照導(dǎo)電溝道的不同，MOS管可分為（）。

A.NMOS
B.PMOS
C.CMOS
D.DMOS
E.SMOS

4.多項(xiàng)選擇題對(duì)于TTL與非門閑置輸入端的處理，可以（）。

A.接電源
B.通過電阻3kΩ接電源
C.接地
D.與有用輸入端并聯(lián)
E.接0V

5.多項(xiàng)選擇題OC門輸出端的公共集電極電阻的大小必須選擇恰當(dāng)，因?yàn)椋ǎ?#8194;

A.RC過大則帶拉電流負(fù)載時(shí)輸出的高電平將會(huì)在RC上產(chǎn)生較大的壓降
B.RC過大則帶拉電流負(fù)載時(shí)輸出的低電平將會(huì)在RC上產(chǎn)生較大的壓降
C.RC過小則輸出低電平時(shí)將產(chǎn)生較大的灌電流
D.RC過小則輸出低電平時(shí)將產(chǎn)生較小的灌電流
E.RC很大則帶拉電流負(fù)載時(shí)輸出的低電平將會(huì)在RC上產(chǎn)生較大的壓降