1、在陡波下限制可控硅兩端電壓。 2、限制可控硅開通電流。 3、改善閥內(nèi)的電壓分布。
1、為可控硅控制單元(TCU)提供電源。 2、在電流過零時阻止換相沖擊電流過大。 3、減小閥內(nèi)的電壓不均勻分布。