填空題在SiO2內(nèi)和Si-SiO2界面存在有()、()、()、()等電荷。
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最新試題
什么是無源電阻?什么是有源電阻?舉例說明。
題型:問答題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請畫出Id2的大致變化,并說明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
題型:問答題
由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品,又被稱為()。
題型:多項選擇題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
題型:問答題
目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些?
題型:問答題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?
題型:問答題
從設(shè)計的觀點出發(fā),版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分?
題型:問答題
根據(jù)圖,給出M2管的漏極電流表達式。
題型:問答題
規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么?
題型:問答題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。
題型:問答題