在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

集成電容主要有幾種結構？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅動能力。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？