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問答題
【簡答題】使用IGBT時，為什么要考慮過電流和過電壓保護(hù)，一般過電壓常采用的保護(hù)措施有哪些？
答案：
1）過電流保護(hù)。若IGBT用于VVVF逆變器，當(dāng)電動機(jī)啟動時將產(chǎn)生突變電流，如果控制回路、驅(qū)動回路的配線欠合理，將會引起...
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問答題
【簡答題】功率MOSFET的保護(hù)技術(shù)有哪些？
答案：
柵源過壓保護(hù)，漏源過壓保護(hù)，峰值電流保護(hù)，有效值電流保護(hù)，過熱保護(hù)和靜電保護(hù)。
問答題
【簡答題】簡述功率MOSFET的特性。
答案：
功率場效應(yīng)管是用柵極電壓來控制漏極電流的，因此同雙極型晶體管相比，功率MOSFET具有兩個顯著的特點：一個是驅(qū)動電路簡單...
