水浸式探頭主要特點是探頭與工件直接接觸，且探頭部分或全部門浸入耦合液中。

在檢測晶粒粗大和大型工件時，應測定材料的衰減系數(shù)，計算時應考慮介質衰減的影響。

缺陷相對反射率即缺陷反射聲壓與基準反射體聲壓之比。

對于圓柱體而言，外圓徑向檢測實心圓柱體時，入射點處的回波聲壓理論上同平底面工件相同。

對于比正?？v波底面回波滯后的變形波稱為遲到回波。

高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。

超聲波檢測中如果被檢工件衰減嚴重，定量會受到影響。

高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼，電纜為無機物絕緣體高溫同軸電纜。

對于圓柱體而言，外圓徑向檢測實心圓柱體時，入射點處的回波聲壓實際上由于圓柱面耦合不及平面，因而其回波高于平底面，會使定量誤差增加。

動態(tài)范圍的最小信號可能受到放大器的飽合或系統(tǒng)噪聲的限制。