在檢測晶粒粗大和大型工件時，應(yīng)測定材料的衰減系數(shù)，計算時應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。

為了減少側(cè)壁的影響，必要時可采用試塊比較法進行定量，以便提高定量精度。

根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計算公式與圓柱形平面反射體的表達式進行比較可知，在反射體直徑相同的情況下，圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。

非金屬夾雜等缺陷的聲阻抗與鋼的聲阻抗相差很小，聲波在缺陷上的透射和吸收明顯高于白點和氣孔等缺陷。

高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼，電纜為無機物絕緣體高溫同軸電纜。

液浸法探傷是使探頭發(fā)射的超聲波經(jīng)過一段液體后再進入試件的檢測的方法。

缺陷相對反射率即缺陷反射聲壓與基準反射體聲壓之比。

儀器時基線調(diào)節(jié)比例時，若回波前沿沒有對準相應(yīng)垂直刻度或讀數(shù)不準，會使缺陷定位誤差增加。

動態(tài)范圍的最小信號可能受到放大器的飽合或系統(tǒng)噪聲的限制。

水浸聚焦探頭是由外殼、阻尼塊、晶片、聲透鏡等組成。