A.電路圖
B.設(shè)計(jì)圖
C.方塊圖
D.上述3種都不對(duì)
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A.折射率
B.超聲波的頻率
C.楊氏摸量
D.聲阻抗
A.用縱波垂直于接口發(fā)射到零件中去
B.用兩種不同震動(dòng)頻率的芯片
C.用Y切割石英晶體
D.適當(dāng)?shù)膬A斜探頭
A.施加電壓脈沖的長(zhǎng)度
B.儀器的脈沖放大器的放大特性
C.壓晶體管的厚度
D.以上3種都不對(duì)
A.Sinθ=直徑平方/4倍波長(zhǎng)
B.Sinθ*直徑=頻率*波長(zhǎng)
C.Sinθ=頻率*波長(zhǎng)
D.Sinθ=1.22波長(zhǎng)/直徑
A.衰減
B.折射
C.波束擴(kuò)散
D.飽和
最新試題
由于圓柱形工件有一定的曲率,直探頭與工件直接接觸時(shí),接觸面為一條很寬的條形區(qū)域,從在而在圓柱的橫截面內(nèi)會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的聲束擴(kuò)散。
發(fā)射電壓幅度也就是發(fā)射脈沖幅度,它的高低主要影響發(fā)射的超聲波能量。
對(duì)于圓柱體而言,外圓徑向檢測(cè)實(shí)心圓柱體時(shí),入射點(diǎn)處的回波聲壓理論上同平底面工件相同。
爬波在自由表面的位移有垂直分量,但不是純粹的表面波。
當(dāng)工件內(nèi)應(yīng)力與波的傳播方向一致時(shí),若應(yīng)力為壓縮應(yīng)力,則應(yīng)力作用會(huì)使工件彈性增加,導(dǎo)致聲速減慢。
衍射時(shí)差法對(duì)缺陷檢出率高,超聲波束覆蓋區(qū)域大,缺陷高度測(cè)量精確,實(shí)時(shí)成像,快速分析。
缺陷相對(duì)反射率即缺陷反射聲壓與基準(zhǔn)反射體聲壓之比。
根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計(jì)算公式與圓柱形平面反射體的表達(dá)式進(jìn)行比較可知,在反射體直徑相同的情況下,圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。
超聲波在圓柱內(nèi)反射,如果縱波在圓柱面上發(fā)生波形轉(zhuǎn)換,且一次反射橫波再經(jīng)另一側(cè)圓柱面波形轉(zhuǎn)換成二反射縱波,返回探頭接收,會(huì)形成等邊的三角形遲到回波。
為了減少側(cè)壁的影響,必要時(shí)可采用試塊比較法進(jìn)行定量,以便提高定量精度。