絕緣電阻表進(jìn)行開路試驗(yàn)時(shí)，當(dāng)使電阻表轉(zhuǎn)速達(dá)額定轉(zhuǎn)速時(shí)，其指針應(yīng)指示零。

與均勻電場(chǎng)相比，不均勻電場(chǎng)中空氣間隙的擊穿電壓大大下降。

tanδ測(cè)試時(shí)，隨著試驗(yàn)電壓U的變化，tanδ值呈開口環(huán)曲線，則試品屬于（）。

M型介質(zhì)試驗(yàn)器的最高測(cè)試電壓為交流2500V。

用西林電橋測(cè)試tanδ時(shí)消除表面泄漏電流的接線方法是利用（）將表面泄漏電流直接回流到試驗(yàn)電源。

典型雷電沖擊電壓波形的波前時(shí)間和半峰值時(shí)間通常也稱為（）。

（）所施加的試驗(yàn)電壓是一個(gè)持續(xù)時(shí)間很短的沖擊波。

M型介質(zhì)試驗(yàn)器往被試品上施加的交流試驗(yàn)電壓為（）。

當(dāng)被試品具有較大電容時(shí)，tanδ測(cè)試只能反映整體的絕緣狀況。

典型雷電沖擊電壓波形由波峰時(shí)間和半峰值時(shí)間確定。