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填空題在甲乙類功放電路中，由于靜態(tài)工作點設(shè)置得接近于功放管的截止區(qū)，所以可能產(chǎn)生（）。

1.問答題 已知電路參數(shù)如圖所示，F(xiàn)ET工作點上的互導(dǎo)gm=1ms,設(shè)rd>>R5.
（1）畫出電路的小信號等效電路模型；
（2）求電壓增益Av；
（3）求放大器的輸入電阻Ri。

2.問答題 圖所示為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性，說明屬于何種溝通。如是增強型，說明它的開啟電壓Vt為多少? 如是耗盡型說明它的夾斷電壓Vp為多少?

（1）它是N溝道耗盡型FET。
（2）它的夾斷電壓Vp=—3V