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問(wèn)答題如果一個(gè)NaI（T1）閃爍探測(cè)器對(duì)¹³⁷Csγ射線（0.662MeV）的能量分辨率是7%，計(jì)算它對(duì)²²Na的1.28MeVγ射線的能量分辨率。

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1.問(wèn)答題計(jì)算²⁴Na2.76MeVγ射線在NaI（T1）單晶γ譜儀測(cè)得的能譜圖上的康普頓邊緣與單光子逃逸峰之間的相對(duì)位置。試詳細(xì)解釋?duì)蒙渚€在NaI（T1）閃爍體中產(chǎn)生那些次級(jí)過(guò)程（一直把γ能量分解到全部成為電子的動(dòng)能）？

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2.問(wèn)答題在NaI（T1）中2MeVγ射線相互作用的光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對(duì)效應(yīng)的截面比為1：20：2，入射到NaI（T1）中的2MeVγ射線的脈沖幅度譜給出的峰總比是小于、大于還是近似等于1/23？

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3.問(wèn)答題NaI（T1）閃爍體的衰變時(shí)間（即衰變常數(shù)倒數(shù)）為230ns，忽略光電倍增管引入的任何時(shí)間展寬，求閃爍探測(cè)器陽(yáng)極電路時(shí)間常數(shù)為10，000和1000ns時(shí)的電壓脈沖幅度。

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4.問(wèn)答題Φ4×0.8mm金硅面壘探測(cè)器測(cè)α能譜時(shí)，當(dāng)E_α＝0時(shí)相應(yīng)于零道，對(duì)²⁴¹Am的5.486MeV的α粒子譜峰位于116道，如果重離子能量為21.00MeV譜峰被記錄在402道，求脈沖幅度虧損是多少（已知前置放大器的輸入電容為10PF）。

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5.問(wèn)答題比較比Si材料和用Ge材料做成的探測(cè)器由于電子－空穴對(duì)的統(tǒng)計(jì)漲落對(duì)分辨率的影響。如果除了統(tǒng)計(jì)漲落外，所有其他因素對(duì)譜線寬度的貢獻(xiàn)為5kev，那么對(duì)Si和Ge來(lái)說(shuō)，探測(cè)多大能量的粒子才會(huì)形成20kev的線寬？

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