判斷題熱擴(kuò)散中的橫向擴(kuò)散通常是縱向結(jié)深的75%~85%。先進(jìn)的MOS電路不希望發(fā)生橫向擴(kuò)散,因?yàn)樗鼤?huì)導(dǎo)致溝道長(zhǎng)度的減小,影響器件的集成度和性能。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
最新試題
常壓的硅外延方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
摻雜后,退火的目的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型:判斷題
互連工藝中AL的制備可選用()。
題型:多項(xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
題型:判斷題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題