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電路如圖所示。已知：晶體管的β、r_bb′、C_μ、f_β均相等，所有電容的容量均相等；靜態(tài)時所有電路中晶體管的發(fā)射極電流I_EQ均相等。
（1）低頻特性最差即下限頻率最高的電路是？
（2）低頻特性最好即下限頻率最低的電路是？
（3）高頻特性最差即上限頻率最低的電路是？

電路如圖所示。已知晶體管T₁、T₂、T₃為特性相同的同型號硅管，它們的U_BEQ均為0.7V，r_bb’均為80Ω，均為50；電路中的V_CC=12V，R₁=10kΩ、R₂=5.1kΩ、R₃=1kΩ、R₄=1.2kΩ、R₅=3kΩ、R₆=12kΩ、R₇=20kΩ、R₈=1.2kΩ、R₉=12kΩ、R₁₀=5kΩ、R₁₁=1.2kΩ、R_L=10kΩ；各電容器的電容量均足夠大。試求：
（1）電壓放大倍數(shù)A_u；
（2）輸入電阻R_i及輸出電阻R_o值。