A.永久磁鐵
B.直流電磁鐵
C.交流電磁鐵
D.脈沖電磁鐵
E.渦流電磁場(chǎng)
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A.水浸平探頭
B.水浸橫波探頭
C.水浸表面波探頭
D.水浸斜探頭
E.水浸聚焦探頭
A.透鏡式聚焦
B.反射式聚焦
C.曲面晶片式聚焦
D.透射式聚焦
E.折射式聚焦
A.點(diǎn)狀形
B.球形
C.圓柱形
D.圓片形
E.條形
A.圓片形
B.球形
C.圓柱形
D.點(diǎn)狀形
E.條形
A.晶片直徑大
B.頻率低
C.指向性好
D.晶片直徑小
E.頻率高
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最新試題
高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼,電纜為無機(jī)物絕緣體高溫同軸電纜。
由于圓柱形工件有一定的曲率,直探頭與工件直接接觸時(shí),接觸面為一條很寬的條形區(qū)域,從在而在圓柱的橫截面內(nèi)會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的聲束擴(kuò)散。
缺陷相對(duì)反射率即缺陷反射聲壓與基準(zhǔn)反射體聲壓之比。
液浸法探傷是使探頭發(fā)射的超聲波經(jīng)過一段液體后再進(jìn)入試件的檢測(cè)的方法。
電磁超聲探頭在工件的表層內(nèi)產(chǎn)生的渦流,在外加磁場(chǎng)的作用下,在工件中形成超聲波波源。
缺陷垂直時(shí),擴(kuò)散波束入射至缺陷時(shí)回波較高,而定位時(shí)就會(huì)誤認(rèn)為缺陷在軸線上,從而導(dǎo)致定位不準(zhǔn)。
超聲波在圓柱內(nèi)反射,如果縱波在圓柱面上發(fā)生波形轉(zhuǎn)換,且一次反射橫波再經(jīng)另一側(cè)圓柱面波形轉(zhuǎn)換成二反射縱波,返回探頭接收,會(huì)形成等邊的三角形遲到回波。
衍射時(shí)差法對(duì)缺陷檢出率高,超聲波束覆蓋區(qū)域大,缺陷高度測(cè)量精確,實(shí)時(shí)成像,快速分析。
根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計(jì)算公式與圓柱形平面反射體的表達(dá)式進(jìn)行比較可知,在反射體直徑相同的情況下,圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。
無論聲波相對(duì)于缺陷是垂直入射還是斜入射,缺陷大小不同其反射波的指向性有相當(dāng)大的差異。